近年来，研究发现掺杂的氧化铪具有铁电性，自此铪基铁电因其与CMOS工艺的高度兼容性、纳米尺度的铁电性和成熟的制备工艺，成为了新一代低功耗铁电存储器件和逻辑器件的完美备选材料。基于氧化铪铁电材料的器件主要包括铁电场效应晶体管（FeFET）、铁电隧道结（FTJ）以及铁电负电容晶体（NCFET）。目前，氧化铪的铁电性来源仍然存在争议，同时疲劳特性、唤醒效应等可靠性问题为制约铪基铁电器件商业化的主要障碍。模型模拟在氧化铪铁电材料与器件的研究中至关重要，有助于帮助理解其物理机制并优化性能。本次报告将从第一性原理计算、相场模拟、器件级模拟以及机器学习等模型模拟手段出发，探讨多尺度多层次融合的TCAD模拟工具，构建材料-器件-电路跨层次协同设计平台，为氧化铪铁电材料与器件的性能优化提供重要支持。

报告人简介：常鹏鹰，北京工业大学信息科学技术学院，校聘教授，博士生/硕士生导师。2011年获四川大学学士学位，2017年获北京大学博士学位并继续博士后研究。曾获北京市优秀毕业生、北京大学优秀毕业生/优秀博士后/连续两站博雅博士后、未来女科学家计划提名奖等多项荣誉。在基于III-V族化合物半导体、二维半导体以及铁电材料的新型微纳电子器件的载流子输运机理以及工作机制等方面取得一系列创新成果。