氮化镓（GaN）作为第三代半导体代表，广泛用于能源、信息等领域。金属有机物化学气相沉积（MOCVD）是制备GaN薄膜的关键技术。本报告将围绕理论分析、数值模拟与实验验证三方面展开，系统性介绍MOCVD生长GaN过程中的多物理场过程。结合详细化学反应机理与多物理场耦合模型，分析了入口状态和工艺参数对热质输运、生长速率及均匀性的影响。经过正交实验优化后，生长速率提升114.5%，均匀性标准差降低42.7%。

报告人简介：张之博士长期从事半导体材料生长、微纳能源与传感器件及系统的研究，在半导体与摩擦电结合的摩擦电子学领域的基础理论、关键技术、相关应用等方面取得了一系列原创性成果。在Joule、Energy Environ. Sci.、Adv. Mater.等期刊上发表论文50余篇，总被引1700余次，H指数25。主持国自然青年基金项目、北自然面上项目、深圳重点实验室项目，作为项目骨干参加国自然原创探索项目、国家重点研发计划及省部级项目10余项。获iCANX科学大会优秀论文奖、MINE优秀青年科学家入围奖。现为eScience、Smartsys青年编委，中国微米纳米技术学会高级会员。